第八百八十八章 ：半成品碳基芯片（3 / 7）

“再给我们一段时间，我们能将碳基晶体管的数量集成到至少每平方毫米一千万颗以上”

听到这个数字，站在对面的雷君脸上露出了一抹惊讶。

每平方毫米900万颗碳纳米管，总计集成了7.5亿颗。

而六百三十五万枚碳基晶体管

这个数量，虽然和顶尖的硅基芯片上集成的硅晶体管数量还有很大的差距，目前低纳米级的芯片上硅晶体管的数量已经超过了百亿。

但是放到碳基芯片这种传说中的实验室产品上，数量提升的程度开天辟地来形容都不为过。

从三千颗提升到现在的六百三十五万颗，这提升的已经不是一个量级了。

而且按照这位赵光贵所长的说法，如果使用他手上另一枚最新碳基衬底，其碳基晶体管数量能突破亿级。

甚至，再给他们一段时间，碳基芯片的晶体管能突破到每平方毫米一千万颗。

如果按照面前他看到的芯片大小约莫一平方厘米的面积来算，也就是10亿晶体管。

这个数量，如果用最常见的英特尔酷睿处理来对比，差不多是I3五代的水准。

当然，不同芯片的晶体管数量差距很大，哪怕是同一代的硅基芯片，晶体管的数量可能也相差数亿颗甚至更多。

但十亿数量的晶体管，已经足够构建出商业化的芯片了。

至于具体的性能怎么样，是否能超过同级别的碳基芯片，能超过多少，这些他暂时还不确定。

不过很快，材料研究所的赵光贵就给出了答案。

在简单的介绍完手上这两枚碳基芯片的不同情况后，他接着说道：“虽然说针对碳基芯片的测试还在进行中。”

“不过从目前已经完成的一些检测项目数量来看，它的性能远超同级别，或者说同晶体管数量的硅基芯片。”

“比如能耗，这枚碳基芯片的能耗仅仅只有同级别硅基芯片的五分之一都不到！”

“当然，这也和同级别的硅基芯片过于古老，在芯片的构建技术等各方面都有差距，所以才优越这么高。”

“但我们经过理论计算，就算是换成目前顶尖的五纳米集成工艺来制备相同数量的硅基芯片，其能耗也远超出我手中的这枚半成品碳基芯片。”