第五百一十七章 能同时完美兼容碳基芯片与量子芯片的逆天材料！（2 / 4）

而且酷似结晶的完美三维立体结构，里面包含了十三种金属及其氧化物组成的漏极、源极、接触电极、绝缘材料，能够大幅降低电阻和提高电流，还能够有效减少量子隧穿效应的影响。

元件的组装问题同样很好解决，特殊的三维结构使得它可以轻松的相互吸收，整齐排列为完美的直线，可以轻松制造出超过12英寸的大尺度晶圆片。

但光是这些优点，“碳晶复合纳米材料”还称不上“s级知识”。

“碳晶复合纳米材料”最大的优点是，它能实现电荷量子比特的普适量子逻辑门操控，即它能用于量子芯片的制造。

“碳晶复合纳米材料”本身的三维特殊结构，使得它组成晶圆并蚀刻了特定的电路后，通过激光激发，就能使“碳晶复合纳米材料”的两端“仓库”能同时存储出现纠缠的量子信息及对应的逻辑门，也就是“是”、“非”和“是或非”三种逻辑状态。

这居然是一种能同时完美兼容碳基芯片与量子芯片的逆天材料！

“碳晶复合纳米材料”制造方法被系统评定为s级知识的真正原因就在于此！

可惜的是这份s级知识里并没提及如何将“碳晶复合纳米材料”制作成量子芯片。

它只是提及了如何制造出这样“碳晶复合纳米材料”，而且是工业级的大批量低成本制造，成本甚至能比采取“fi”技术下硅基晶体管还要便宜五分之一。

不但成本低，“碳晶复合纳米材料”的性能与功耗表现更是非常优异，秦克将s级知识里给出的理论数据进行了心算，以它制作出来的14nm芯片，性能应该能达到目前世界主流高端7nm硅基芯片（采用传统的“fi”技术的1倍以上，功耗却不到后者的5%。

恐怖如斯！

目前国内的芯片晶圆厂商已能量产14nm的芯片了，换而言之，如果能生产出“碳晶复合纳米材料”并用于制造14nm的芯片，足以轻松秒杀掉国际上所有的7nm芯片！

哪怕将来ibm和三星真的成功采用所谓的“vtfet技术”制造出1nm的超高端芯片，也照样会被14nm的“碳晶复合纳米材料”芯片吊打！

国产芯片的自主之路，一下子就能提前大半！

秦克越看心跳得越快，差点连正在炖着的养生汤炖干了都没发现。

这份s级知识真是太逆天了！

哪怕隐藏了量子芯片的部分，光是用于制造碳基芯片，恐怕都会改变整个世界的芯片格局！

难怪这份s级知识能够与《非线性偏微分方程“纳维-斯托克斯方程”的探究与详解》这样同样足以影响人类航空航天、地球物理、大气海洋、工业技术等领域的庞大知识体系相提并论。

当然，以秦克现在lv2的“芯片技术”和lv1的“材料技术”，想吃透这份s级知识并在实验室里将“碳晶复合纳米材料”制造出来，还是很有些难度。

秦克估计自己起码要“材料技术”达到lv3左右，才能做到。

看来要想法子加强自己在材料方向的课研了，正好许清岩老师现在还兼管着芯片材料方向的课题，找到理由参与进去应该不是难事。